Про внесення змін до Закону України "Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", Детальна інформація

2743 Про внесення змін до Закону України "Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О. Патона", "Інститут монокристалів" (04.10.2001)

З А К О Н У К Р А Ї Н И

Про внесення змін до Закону України

"Про спеціальний режим інвестиційної та

інноваційної діяльності технологічних парків

"Напівпровідникові технології і матеріали,

оптоелектроніка та сенсорна техніка",

"Інститут електрозварювання імені

Є.О. Патона", "Інститут монокристалів"

( Відомості Верховної Ради (ВВР), 2002, N 3-4, ст.28 )

Верховна Рада України п о с т а н о в л я є:

\x0153

B*

z

e

$

\x017D

"Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О. Патона", "Інститут монокристалів" ( 991-14 ) (Відомості Верховної Ради України, 1999 р., N 40, ст. 363) такі зміни:

назву Закону викласти в такій редакції:

"Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О. Патона", "Інститут монокристалів", "Вуглемаш";

преамбулу після слів "Інститут монокристалів" (м. Харків)" доповнити словами "Вуглемаш" (м. Донецьк)".

II. Прикінцеві положення

1. Цей Закон набирає чинності з дня його опублікування.

2. Кабінету Міністрів України у тримісячний строк привести свої нормативно-правові акти у відповідність з цим Законом.

Президент України Л.КУЧМА

м. Київ, 4 жовтня 2001 року

N 2743-III